A Jiangsu General Semiconductor Co., Ltd. által önállóan kifejlesztett első hazai 8-hüvelykes SiC tuskólézeres teljesen automatikus csupaszító berendezést a közelmúltban hivatalosan átadták a Guangzhou Nansha Wafer Semiconductor Technology Co., Ltd.-nek, a terület egyik vezető vállalatának. szilícium-karbid szubsztrát előállítására, és gyártásba kerül.
A berendezés képes megvalósítani a 6- hüvelykes és 8- hüvelykes SiC tömbök teljesen automatikus szeletelését, beleértve a bugák betöltését, a rúdcsiszolást, a lézeres vágást, az ostya leválasztását és az ostyagyűjtést. Ipari termelése kitöltötte a piaci rést a kínai SiC ingot lézeres csupaszító berendezések kutatás-fejlesztése és gyártása terén, áttörve a külföldi technológiai blokádot, nagymértékben javítva hazám SiC chip-iparának függetlenségét és iparosítási szintjét, valamint szilárd garancia hazám integrált áramköri ipari láncának biztonságára és stabilitására.
A berendezés évente 20,000 SiC szubsztrátumot képes lecsupaszítani, így több mint 95%-os hozam érhető el. A hagyományos huzalvágási eljáráshoz képest nagymértékben csökkenti a termékveszteséget, és a berendezés ára csak 1/3-a a hasonló külföldi termékeknek.
